溫濕度循試驗(yàn)箱對芯片燒結(jié)性能的影響驗(yàn)證。溫度環(huán)境應(yīng)力對半導(dǎo)體器件作用更加突出和復(fù)雜，導(dǎo)致元器件出現(xiàn)各種形式的失效，嚴(yán)重影響武器裝備的可靠性和安全性。本文通過溫度循環(huán)試驗(yàn)對一種封裝結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件封裝進(jìn)行了試驗(yàn)，測定了該封裝結(jié)構(gòu)的退化情況，測試結(jié)果表明該封裝對溫度有較好的耐受性。

1.1對溫濕度循環(huán)試驗(yàn)箱的要求：
1.2試驗(yàn)方法及判定標(biāo)準(zhǔn)
溫度循環(huán)按CJB 548B方法1010.1，條件C (-65°C~ 150°C )的要求進(jìn)行進(jìn)行; X光檢測按CJB 548B方法2012.1的要求進(jìn)行;鍵合拉 力試驗(yàn)按GJB 548B方法201 1.1條件D的要求進(jìn)行;芯片剪切強(qiáng)度按CJB 548B方法2019.2的要求進(jìn)行。
1.3樣品結(jié)構(gòu)及試驗(yàn)安排
選擇-種陶瓷封裝電路，該電路采用芯片背金燒結(jié)工藝，內(nèi)引線采用為硅鋁絲超聲楔形焊。試驗(yàn)使用樣品100只，分為10組，每組10電路。溫度循環(huán)共進(jìn)行1000次，每100次抽取1組進(jìn)行芯片剪切力、鍵合拉力、X光檢查測試。

在進(jìn)行該試驗(yàn)前，該電路按照產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范的要求進(jìn)行了篩選，對早期失效的電路進(jìn)行了淘汰。在篩選合格電路中選取100只芯片燒 結(jié)空洞率小于1 5%的產(chǎn)品作為本次試驗(yàn)的樣品。
2.1芯片剪切強(qiáng)度結(jié)果
該電路共進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗(yàn)1000次，每100次溫度循環(huán)試驗(yàn)后對電路進(jìn)行鍵合拉力測試，測試電路為試驗(yàn)電路中隨機(jī)抽取的10只電路，對10電路的全部芯片剪切力試驗(yàn)，對比試驗(yàn)數(shù)據(jù),得到溫濕度循環(huán)試驗(yàn)過程后芯片剪切強(qiáng)度的變化規(guī)律,表l為試驗(yàn)后拉力測試的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)。

芯片通過燒結(jié)材料與管殼進(jìn)行固定。芯片、殼粘接材料間具有不同的膨脹系數(shù)，在受熱或者遇冷的情況下會不同程度的發(fā)生形態(tài)上的變化。溫度循環(huán)試驗(yàn)將不斷變化的溫度應(yīng)力施加到產(chǎn)品上，使芯片、管殼粘接材料不斷產(chǎn)生形態(tài)上的變化，從而在各接觸面間產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。當(dāng)使用的芯片、管殼粘接材料的膨脹系數(shù)非常接近時，所產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力較小，粘接性能退化慢，反之會造成粘接性能的急劇退化。

從圖1中的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)可以看到，各階段試驗(yàn)后芯片剪切測試值均滿足GJB 548B的要求，芯片剪切強(qiáng)度在有限區(qū)間內(nèi).上下波動。但在 經(jīng)過700次溫度循環(huán)試驗(yàn)后，雖然芯片剪切強(qiáng)度均滿足GJB 548B的要求，但測試值全部處于區(qū)間的下半部，而不是以，上 下波動的形式出現(xiàn)。該測試結(jié)果反映出，芯片粘接性能可能在700次溫度循環(huán)試驗(yàn)后逐步出現(xiàn)了退化現(xiàn)象，雖然退化的情況并不明顯。

2.2內(nèi)引線拉力強(qiáng)度結(jié)果
該電路共進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗(yàn)1000次，每100次溫度循環(huán)試驗(yàn)后對電路進(jìn)行鍵合拉力測試，測試電路為試驗(yàn)電路中隨機(jī)抽取的10只 電路，對10電路的全部引線進(jìn)行試驗(yàn)，對比試驗(yàn)數(shù)據(jù)，得到溫度循環(huán)試驗(yàn)過程中弓|線拉力強(qiáng)度的變化規(guī)律，表2為試驗(yàn)后拉 力測試的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)。

溫度循環(huán)核試驗(yàn)對內(nèi)弓|線的作用原理同樣是基于材料的熱脹冷縮特性而產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力作用。從圖2可以看到，雖然在1000次試驗(yàn)過 程中的弓|線拉力測試值均滿足CJB 548B的合格判別要求，但引線拉力測試值在500次溫度循環(huán)中出現(xiàn)了快速的退化，而后直到1000次
溫度循環(huán)試驗(yàn)中的測試值處于一個相對比較溫度的范圍,引線拉力測試值沒有出現(xiàn)持續(xù)的退化。

2.3芯片粘接空洞結(jié)果

該電路共進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗(yàn)100次，每100次溫度循環(huán)試驗(yàn)后對電路進(jìn)行X射線檢查,其中10只電路完成了全部的1000次溫循試 驗(yàn)，其他電路由于要進(jìn)行破壞性的鍵合拉力和芯片剪切力試驗(yàn)，溫循次數(shù)依次遞減。X射線檢測按照GJB 548B的相關(guān)要求進(jìn)行，由于該電路采用平行封焊工藝，因此在X射線檢測中僅針對芯片的空洞缺陷進(jìn)行檢查。見圖3。

溫度循環(huán)試驗(yàn)過程中由于封裝材料間的熱膨脹系數(shù)不一樣,在溫度變化過程中材料間的接觸面可以因熱膨脹系數(shù)的差異產(chǎn)生剪切應(yīng)力，當(dāng)剪切應(yīng)力作用試驗(yàn)足夠長、應(yīng)力足夠大時，可以對產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。溫度循環(huán)試驗(yàn)可能造成芯片粘接空洞的擴(kuò)大，造成產(chǎn)品芯片粘接強(qiáng)度的降低，影響產(chǎn)品的使用可靠性。

從試驗(yàn)前后X射線檢測圖片對比可以看到，該電路在1000次溫度循環(huán)試驗(yàn)前后的空洞缺陷沒有出現(xiàn)擴(kuò)大、惡化的情況，試驗(yàn)前后的空洞面積基本-致。參考芯片剪切強(qiáng)度測試結(jié)果，芯片剪切強(qiáng)度未出現(xiàn)明顯的退化。說明在經(jīng)過1000次溫度循環(huán)后，產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和可靠性沒有出現(xiàn)異變，測試結(jié)果均滿足標(biāo)準(zhǔn)的要求。

溫度循環(huán)試驗(yàn)造成了芯片粘接可靠性的退化，粗備累計(jì)效應(yīng),在溫度劇烈變化時，會加快芯片粘接性能退化速度。但該結(jié)構(gòu)電路的芯片、管殼粘接材料間的熱匹配較好，抗溫度變化的性能較高，在1000次溫度循環(huán)試驗(yàn)后，沒有出現(xiàn)剪切強(qiáng)度不合格的情況，粘接強(qiáng)度的退化比較輕微，在正常使用情況下可以保證長期的粘接可靠性。

溫度循環(huán)試驗(yàn)對引線拉力強(qiáng)度有一定的影響， 溫度循環(huán)試驗(yàn)次數(shù)少的電路弓|線拉力強(qiáng)度優(yōu)于溫度循環(huán)試驗(yàn)次數(shù)多的電路。在1000次溫度循環(huán)試驗(yàn)中引線拉力強(qiáng)度至少出現(xiàn)了-次拉力強(qiáng)度退化的過程，這個結(jié)果與GJB548B中試驗(yàn)前合格拉力判別值高于試驗(yàn)后合格拉力判別值的規(guī)定值相符合的。但隨著溫度循環(huán)試驗(yàn)的持續(xù)進(jìn)行，引線拉力強(qiáng)度是否會出現(xiàn)二次退化，由于試驗(yàn)次數(shù)的限制，不能進(jìn)行進(jìn)一步的驗(yàn)證。

該封裝結(jié)構(gòu)所使用的封裝材料間熱匹配比較好，在經(jīng)過1000次溫度循環(huán)試驗(yàn)后，產(chǎn)品在結(jié)構(gòu)和封裝可靠性方面沒有出現(xiàn)不滿足標(biāo)準(zhǔn)的情況，組芯片粘接空洞沒有出現(xiàn)明顯的變化,在芯片粘接性能方面還具有較高的可靠性。